• info@matltech.com
  • E2-1-1011 Global Center, No.1700 Tianfu Avenue North, Chengdu 610041, China.
English
wmk_product_02
Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2 Featured Image
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2

Cadmiumarsenide Cd3As2|GaAs InAs Nb3As2

Beschrijving

Cadmiumarsenide Cd3As25N 99,999%,donkergrijze kleur, met dichtheid 6.211g/cm3, smeltpunt 721°C, molecuul 487.04, CAS12006-15-4, oplosbaar in salpeterzuur HNO3 en stabiliteit in lucht, is een gesynthetiseerd samengesteld materiaal van cadmium en arseen met een hoge zuiverheid.Cadmiumarsenide is een anorganisch halfmetaal in de II-V-familie en vertoont het Nernst-effect.Cadmiumarsenidekristal gegroeid met de Bridgman-groeimethode, niet-gelaagde bulk Dirac-halfmetaalstructuur, is een gedegenereerde N-type II-V-halfgeleider of een halfgeleider met nauwe spleet met hoge dragermobiliteit, lage effectieve massa en een zeer niet-parabolische geleiding band.Cadmiumarsenide Cd3As2 of CdAs is een kristallijne vaste stof en vindt steeds meer toepassing in een halfgeleider en in foto-optisch veld zoals in infrarooddetectoren die het Nernst-effect gebruiken, in dunne-film dynamische druksensoren, laser, lichtgevende diodes LED, kwantumdots, om magnetoweerstanden maken en in fotodetectoren.Arsenideverbindingen van Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs en Niobium Arsenide NbAs of Nb5As3vind meer toepassing als elektrolytmateriaal, halfgeleidermateriaal, QLED-display, IC-veld en andere materiële velden.

Levering

Cadmiumarsenide Cd3As2en Gallium Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs en Niobium Arsenide NbAs of Nb5As3bij Western Minmetals (SC) Corporation met 99,99% 4N en 99,999% 5N zuiverheid is in grootte van polykristallijn micropoeder -60mesh, -80mesh, nanodeeltjes, klontjes 1-20 mm, korrel 1-6 mm, brok, blanco, bulkkristal en enkelkristal enz ., of als maatwerkspecificatie om tot de perfecte oplossing te komen.


Details

Tags

Technische specificatie:

Arsenideverbindingen

Arsenideverbindingen verwijzen voornamelijk naar de metaalelementen en metalloïde verbindingen, waarvan de stoichiometrische samenstelling binnen een bepaald bereik verandert om een ​​op verbindingen gebaseerde vaste oplossing te vormen.Intermetallische verbinding is van zijn uitstekende eigenschappen tussen het metaal en keramiek, en wordt een belangrijke tak van de nieuwe structurele materialen.Naast Gallium Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs en Niobium Arsenide NbAs of Nb5As3kan ook worden gesynthetiseerd in de vorm van poeder, korrel, klomp, staaf, kristal en substraat.

Cadmiumarsenide Cd3As2en Gallium Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs en Niobium Arsenide NbAs of Nb5As3bij Western Minmetals (SC) Corporation met 99,99% 4N en 99,999% 5N zuiverheid is in grootte van polykristallijn micropoeder -60mesh, -80mesh, nanodeeltjes, klontjes 1-20 mm, korrel 1-6 mm, brok, blanco, bulkkristal en enkelkristal enz ., of als maatwerkspecificatie om tot de perfecte oplossing te komen.

CM-W2

GaAs-W3

Nee.

Item

Standaard specificatie

Zuiverheid

Onzuiverheid PPM Max elk

Maat

1

CadmiumarsenideCd3As2

5N

 Ag/Cu/Ca/Mg/Sn/Fe/Cr/Bi 0,5, Ni/S 0,2, Zn/Pb 1,0

-60 mesh -80 mesh poeder, 1-20 mm klontje, 1-6 mm korrel;

2

Galliumarsenide GaAs

5N 6N 7N

 GaAs Samenstelling is op aanvraag verkrijgbaar

3

Niobiumarsenide NbAs

3N5

 NbAs Samenstelling is op aanvraag verkrijgbaar

4

Indiumarsenide InAs

5N 6N

 InAs Composition is op aanvraag verkrijgbaar

5

Inpakken

500g of 1000g in polyethyleen fles of composiet zak, kartonnen doos buiten

Galliumarsenide

GaAs

Galliumarsenide GaAs, een III-V samengesteld direct-gap halfgeleidermateriaal met een zinkblende kristalstructuur, wordt gesynthetiseerd door zeer zuivere gallium- en arseen-elementen, en kan worden gesneden en gefabriceerd tot wafel en blanco van een kristallijne ingot die is gegroeid met de Vertical Gradient Freeze (VGF) -methode .Dankzij de verzadigende mobiliteit van de hal en de hoge vermogens- en temperatuurstabiliteit, presteren die RF-componenten, microgolf-IC's en LED-apparaten die ermee zijn gemaakt allemaal geweldige prestaties in hun hoogfrequente communicatiescènes.Ondertussen maakt de efficiëntie van de UV-lichttransmissie het ook mogelijk om een ​​bewezen basismateriaal te zijn in de fotovoltaïsche industrie.Galliumarsenide GaAs-wafel bij Western Minmetals (SC) Corporation kan worden geleverd tot een diameter van 6" of 150 mm met een zuiverheid van 6N 7N, en galliumarsenide-substraat van mechanische kwaliteit is ook beschikbaar. Ondertussen zijn galliumarsenide polykristallijne staaf, klomp en korrel enz. met zuiverheid van 99,999% 5N, 99,9999% 6N, 99,99999% 7N geleverd door Western Minmetals (SC) Corporation zijn ook beschikbaar of als aangepaste specificatie op aanvraag.

Indiumarsenide

InAs

Indiumarsenide InAs, een direct-band-gap halfgeleider die kristalliseert in de zink-gemengde structuur, samengesteld door zeer zuivere indium- en arseen-elementen, gegroeid door Liquid Encapsulated Czochralski (LEC)-methode, kan worden gesneden in en gefabriceerd tot wafel van een enkele kristallijne staaf.Vanwege de lage dislocatiedichtheid maar constant rooster, is InAs een ideaal substraat om de heterogene InAsSb-, InAsPSb- en InNAsSb-structuren of AlGaSb-superroosterstructuur verder te ondersteunen.Daarom speelt het een belangrijke rol bij de fabricage van infrarood-emitterende apparaten met een golflengte van 2-14 μm.Bovendien maakt de superieure halmobiliteit maar smalle energiebandgap van InAs het ook mogelijk om het geweldige substraat te worden voor halcomponenten of andere productie van laser- en stralingsapparatuur.Indiumarsenide InAs bij Western Minmetals (SC) Corporation met een zuiverheid van 99,99% 4N, 99,999% 5N, 99,9999% 6N kan worden geleverd in een substraat van 2" 3" 4" in diameter. Ondertussen, indiumarsenide polykristallijne klomp bij Western Minmetals (SC ) Corporation is ook beschikbaar of als aangepaste specificatie op aanvraag.

Niobiumarsenide

NbAs-2

Niobium Arsenide Nb5As3 or NbAs,gebroken witte of grijze kristallijne vaste stof, CAS-nr. 12255-08-2, formulegewicht 653.327 Nb5As3en 167.828 NbAs, is een binaire verbinding van niobium en arseen met de samenstelling NbAs,Nb5As3, NbAs4 … enz. gesynthetiseerd door de CVD-methode, deze vaste zouten hebben zeer hoge roosterenergieën en zijn giftig vanwege de inherente toxiciteit van arseen.Thermische analyse bij hoge temperatuur toont aan dat NdA's arseenvervluchtiging vertoonden bij verwarming. Niobium Arsenide, een Weyl-halfmetaal, is een soort halfgeleider en foto-elektrisch materiaal in toepassingen voor halfgeleiders, foto-optica, laserlichtdiodes, kwantumdots, optische en druksensoren, als tussenproducten en om supergeleiders enz. te fabriceren. Niobium Arsenide Nb5As3of NbAs bij Western Minmetals (SC) Corporation met een zuiverheid van 99,99% 4N kan worden geleverd in de vorm van poeder, korrel, klont, doelwit en bulkkristal enz. of als aangepaste specificatie, die in een goed gesloten, lichtbestendige , droge en koele plaats.

Inkooptips

  • Monster beschikbaar op aanvraag
  • Veiligheidslevering van goederen per koerier/lucht/zee
  • COA/COC Kwaliteitsmanagement
  • Veilige en handige verpakking
  • VN-standaardverpakking beschikbaar op aanvraag
  • ISO9001:2015 gecertificeerd
  • CPT/CIP/FOB/CFR-voorwaarden volgens Incoterms 2010
  • Flexibele betalingsvoorwaarden T/TD/PL/C Aanvaardbaar
  • Volledige dimensionale after-sales services
  • Kwaliteitsinspectie door ultramoderne faciliteit
  • Goedkeuring Rohs/REACH-regelgeving
  • Geheimhoudingsovereenkomsten NDA
  • Beleid voor niet-conflictmineralen
  • Regelmatige beoordeling van het milieubeheer
  • Vervulling van sociale verantwoordelijkheid

Cd2As3 Nb2As3GaAs InAs

  • Vorig:
  • Volgende:

    • gerelateerde producten

    Druk op Enter om te zoeken of op Esc om te sluiten
    QR code