Galliumnitride GaN

Beschrijving

Galliumnitride GaN, CAS 25617-97-4, molecuulmassa 83.73, wurtziet kristalstructuur, is een binaire verbinding directe band-gap halfgeleider van groep III-V gegroeid door een hoogontwikkelde ammonothermische procesmethode.Gekenmerkt door een perfecte kristallijne kwaliteit, hoge thermische geleidbaarheid, hoge elektronenmobiliteit, hoog kritisch elektrisch veld en brede bandgap, heeft Gallium Nitride GaN gewenste eigenschappen in opto-elektronica en detectietoepassingen.

Toepassingen

Galliumnitride GaN is geschikt voor de productie van de allernieuwste high-speed en high-capacity heldere light-emitting diodes LED-componenten, laser- en opto-elektronische apparaten zoals groene en blauwe lasers, High Electron Mobility Transistors (HEMT's) producten en in high-power en de verwerkende industrie van apparaten op hoge temperatuur.

Levering

Galliumnitride GaN bij Western Minmetals (SC) Corporation kan worden geleverd in de grootte van een ronde wafel van 2 inch of 4 inch (50 mm, 100 mm) en een vierkante wafel van 10 × 10 of 10 × 5 mm.Elke aangepaste maat en specificatie zijn voor de perfecte oplossing voor onze klanten wereldwijd.

Onderzoek nu

Details

Tags

Technische specificatie:

Galliumnitride GaN

Galliumnitride GaNbij Western Minmetals (SC) Corporation kan worden geleverd in de grootte van een ronde wafel van 2 inch of 4 inch (50 mm, 100 mm) en een vierkante wafel van 10 × 10 of 10 × 5 mm.Elke aangepaste maat en specificatie zijn voor de perfecte oplossing voor onze klanten wereldwijd.

Nee.	Artikelen	Standaard specificatie
1	Vorm geven aan	Circulaire	Circulaire	Vierkant
2	Maat	2"	4"	--
3	Diameter mm	50.8±0.5	100 ± 0,5	--
4	Zijlengte mm	--	--	10x10 of 10x5
5	Groeimethode:	HVPE	HVPE	HVPE
6	Oriëntatie	C-vlak (0001)	C-vlak (0001)	C-vlak (0001)
7	Geleidbaarheidstype:	N-type/Si-gedoteerd, niet-gedoteerd, semi-isolerend
8	Weerstand Ω-cm	<0.1, <0.05, >1E6
9	Dikte m	350±25	350±25	350±25
10	TTV m max	15	15	15
11	Boog m max	20	20	20
12	EPD cm-2	<5E8	<5E8	<5E8
13	Oppervlakteafwerking	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
14	Oppervlakteruwheid	Voorkant: ≤0,2nm, achterkant: 0,5-1,5μm of ≤0,2nm
15	Inpakken	Enkele wafelcontainer verzegeld in aluminium zak.

Lineaire formule	GaN
Molecuulgewicht	83,73
Kristal structuur	Zink blende/Wurtziet
Uiterlijk	Doorschijnende vaste stof
Smeltpunt	2500 °C
Kookpunt	Nvt
Dichtheid bij 300K	6,15 g/cm³
Energiekloof	(3,2-3.29) eV bij 300K
Intrinsieke weerstand	>1E8 Ω-cm
CAS-nummer	25617-97-4
EG-nummer	247-129-0

Galliumnitride GaNis geschikt voor de productie van de allernieuwste high-speed en high-capacity heldere light-emitting diodes LED-componenten, laser- en opto-elektronische apparaten zoals groene en blauwe lasers, high-elektronmobiliteitstransistors (HEMT's) en in high-power en high- temperatuur apparaten verwerkende industrie.