Galliumarsenide GaAs

Beschrijving

GalliumarsenideGaAs is een directe bandgap samengestelde halfgeleider van groep III-V gesynthetiseerd door ten minste 6N 7N zeer zuiver gallium en arseenelement, en gegroeid kristal door VGF- of LEC-proces van zeer zuiver polykristallijn galliumarsenide, grijze kleurweergave, kubische kristallen met zinkmengselstructuur.Met de dotering van koolstof, silicium, tellurium of zink om respectievelijk n-type of p-type en semi-isolerende geleidbaarheid te krijgen, kan een cilindrisch InAs-kristal worden gesneden en gefabriceerd in blank en wafel in as-cut, geëtst, gepolijst of epi -klaar voor MBE of MOCVD epitaxiale groei.Galliumarsenidewafel wordt voornamelijk gebruikt voor het vervaardigen van elektronische apparaten zoals infrarood lichtgevende diodes, laserdiodes, optische vensters, veldeffecttransistors FET's, lineaire digitale IC's en zonnecellen.GaAs-componenten zijn nuttig in ultrahoge radiofrequenties en snelle elektronische schakeltoepassingen, zwak-signaalversterkingstoepassingen.Bovendien is galliumarsenidesubstraat een ideaal materiaal voor de vervaardiging van RF-componenten, microgolffrequentie en monolithische IC's, en LED-apparaten in optische communicatie- en controlesystemen vanwege de verzadigende hallmobiliteit, hoge vermogens- en temperatuurstabiliteit.

Levering

Galliumarsenide GaAs bij Western Minmetals (SC) Corporation kan worden geleverd als polykristallijne klomp of eenkristalwafel in as-cut, geëtste, gepolijste of epi-ready wafels in een grootte van 2” 3” 4” en 6” (50 mm, 75 mm, 100 mm, 150 mm) diameter, met p-type, n-type of semi-isolerende geleidbaarheid, en <111> of <100> oriëntatie.De aangepaste specificatie is voor de perfecte oplossing voor onze klanten wereldwijd.

Onderzoek nu

Details

Tags

Technische specificatie:

Galliumarsenide

GaAs

Galliumarsenide GaAswafers worden voornamelijk gebruikt voor het vervaardigen van elektronische apparaten zoals infrarood lichtgevende diodes, laserdiodes, optische vensters, veldeffecttransistoren FET's, lineaire of digitale IC's en zonnecellen.GaAs-componenten zijn nuttig in ultrahoge radiofrequenties en snelle elektronische schakeltoepassingen, zwak-signaalversterkingstoepassingen.Bovendien is galliumarsenidesubstraat een ideaal materiaal voor de vervaardiging van RF-componenten, microgolffrequentie en monolithische IC's, en LED-apparaten in optische communicatie- en controlesystemen vanwege de verzadigende hallmobiliteit, hoge vermogens- en temperatuurstabiliteit.

Nee.	Artikelen	Standaard specificatie
1	Maat	2"	3"	4"	6"
2	Diameter mm	50.8±0.3	76,2 ± 0,3	100 ± 0,5	150 ± 0,5
3	Groeimethode:	VGF	VGF	VGF	VGF
4	Geleidbaarheidstype:	N-Type/Si of Te-gedoteerd, P-Type/Zn-gedoteerd, Semi-isolerend/Ongedoteerd
5	Oriëntatie	(100) ±0,5°	(100) ±0,5°	(100) ±0,5°	(100) ±0,5°
6	Dikte m	350±25	625±25	625±25	650±25
7	Oriëntatie Vlak mm	17±1	22±1	32±1	Inkeping
8	Identificatie Vlak mm	7±1	12±1	18±1	-
9	Weerstand Ω-cm	(1-9)E(-3) voor p-type of n-type, (1-10)E8 voor semi-isolerend
10	Mobiliteit cm2/vs	50-120 voor p-type, (1-2,5)E3 voor n-type, ≥4000 voor semi-isolerend
11	Dragerconcentratie cm-3	(5-50)E18 voor p-type, (0,8-4)E18 voor n-type
12	TTV m max	10	10	10	10
13	Boog m max	30	30	30	30
14	Verdraaien μm max	30	30	30	30
15	EPD cm-2	5000	5000	5000	5000
16	Oppervlakteafwerking	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
17	Inpakken	Enkele wafer container verzegeld in aluminium composiet zak.
18	Opmerkingen	Mechanische kwaliteit GaAs wafer is ook beschikbaar op aanvraag.

Lineaire formule	GaAs
Molecuulgewicht	144,64
Kristal structuur	Zink blende
Uiterlijk	Grijze kristallijne vaste stof
Smeltpunt	1400°C, 2550°F
Kookpunt	Nvt
Dichtheid bij 300K	5,32 g/cm³
Energiekloof	1.424 eV
Intrinsieke weerstand	3.3E8 -cm
CAS-nummer	1303-00-0
EG-nummer	215-114-8

Galliumarsenide GaAsbij Western Minmetals (SC) Corporation kan worden geleverd als polykristallijne klomp of eenkristalwafel in as-cut, geëtste, gepolijste of epi-ready wafels in een grootte van 2” 3” 4” en 6” (50 mm, 75 mm, 100 mm , 150 mm) diameter, met p-type, n-type of semi-isolerende geleidbaarheid, en <111> of <100> oriëntatie.De aangepaste specificatie is voor de perfecte oplossing voor onze klanten wereldwijd.