CZ Siliciumwafeltje

Beschrijving

CZ Single Crystal Silicium Wafer wordt gesneden uit monokristallijn silicium ingots getrokken door de Czochralski CZ-groeimethode, die het meest wordt gebruikt voor siliciumkristalgroei van grote cilindrische ingots die in de elektronica-industrie worden gebruikt om halfgeleiderapparaten te maken.Bij dit proces wordt een dun kristalsiliciumzaad met precieze oriëntatietoleranties in het gesmolten siliciumbad gebracht waarvan de temperatuur nauwkeurig wordt geregeld.Het kiemkristal wordt langzaam met een zeer gecontroleerde snelheid uit de smelt omhoog getrokken, de kristallijne stolling van atomen uit een vloeibare fase vindt plaats op een grensvlak, het kiemkristal en de kroes worden tijdens dit onttrekkingsproces in tegengestelde richting gedraaid, waardoor een grote enkele kristalsilicium met de perfecte kristalstructuur van het zaad.

Dankzij het magnetische veld dat wordt toegepast op het standaard trekken van CZ-blokken, heeft het door magnetische velden geïnduceerde Czochralski MCZ-eenkristalsilicium een relatief lagere onzuiverheidsconcentratie, een lager zuurstofniveau en dislocatie, en uniforme weerstandsvariatie die goed presteert in geavanceerde elektronische componenten en apparaten fabricage in elektronische of fotovoltaïsche industrieën.

Levering

CZ of MCZ Single Crystal Silicon Wafer n-type en p-type geleidbaarheid bij Western Minmetals (SC) Corporation kan worden geleverd in afmetingen van 2, 3, 4, 6, 8 en 12 inch diameter (50, 75, 100, 125, 150, 200 en 300 mm), oriëntatie <100>, <110>, <111> met oppervlakteafwerking van geslepen, geëtst en gepolijst in verpakking van schuimdoos of cassette met kartonnen doos buiten.

Onderzoek nu

Details

Tags

Technische specificatie:

CZ Siliciumwafeltje

CZ Single Crystal Silicium Wafer is het basismateriaal bij de productie van geïntegreerde schakelingen, diodes, transistors, discrete componenten, gebruikt in alle soorten elektronische apparatuur en halfgeleiderapparaten, evenals substraat in epitaxiale verwerking, SOI-wafelsubstraat of semi-isolerende samengestelde wafelfabricage, vooral grote diameters van 200 mm, 250 mm en 300 mm zijn optimaal voor het vervaardigen van ultrasterk geïntegreerde apparaten.Single Crystal Silicium wordt ook in grote hoeveelheden gebruikt voor zonnecellen door de fotovoltaïsche industrie, waarvan de bijna perfecte kristalstructuur de hoogste licht-naar-elektriciteit conversie-efficiëntie oplevert.

Nee.	Artikelen	Standaard specificatie
1	Maat	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Diameter mm	50.8±0.3	76,2 ± 0,3	100 ± 0,5	150 ± 0,5	200±0.5	300±0.5
3	geleidbaarheid	P of N of ongedoteerd
4	Oriëntatie	<100>, <110>, <111>
5	Dikte m	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 of zoals vereist
6	Weerstand Ω-cm	≤0,005, 0,005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 enz.
7	RRV max	8%, 10%, 12%
8	Primair vlak/lengte mm	Als SEMI-standaard of zoals vereist
9	Secundaire vlak/lengte mm	Als SEMI-standaard of zoals vereist
10	TTV m max	10	10	10	10	10	10
11	Bow & Warp m max	30	30	30	30	30	30
12	Oppervlakteafwerking	Zoals gesneden, L/L, P/E, P/P
13	Inpakken	Schuimdoos of cassette binnen, kartonnen doos buiten.

Symbool	Si
Atoomgetal	14
Atoomgewicht	28.09
Elementcategorie	Metalloïde
Groep, Periode, Blok	14, 3, P
Kristal structuur	Diamant
Kleur	Donkergrijs
Smeltpunt	1414°C, 1687,15 K
Kookpunt	3265 °C, 3538,15 K
Dichtheid bij 300K	2,329 g/cm³
Intrinsieke weerstand	3.2E5 -cm
CAS-nummer	7440-21-3
EG-nummer	231-130-8

CZ of MCZ Single Crystal Silicium Wafern-type en p-type geleidbaarheid bij Western Minmetals (SC) Corporation kan worden geleverd in de maten 2, 3, 4, 6, 8 en 12 inch diameter (50, 75, 100, 125, 150, 200 en 300 mm), oriëntatie <100>, <110>, <111> met oppervlakteafwerking van gesneden, gelept, geëtst en gepolijst in verpakking van schuimdoos of cassette met kartonnen doos buiten.