Indiumarsenide InAs

Beschrijving

Indiumarsenide InAs-kristal is een samengestelde halfgeleider van groep III-V, gesynthetiseerd door ten minste 6N 7N puur indium- en arseen-element en gegroeid enkelkristal door VGF of Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) -proces, grijze kleurweergave, kubische kristallen met zinkmengselstructuur , smeltpunt van 942 °C.De bandafstand van indiumarsenide is een directe overgang die identiek is aan die van galliumarsenide, en de verboden bandbreedte is 0,45 eV (300K).InAs-kristal heeft een hoge uniformiteit van elektrische parameters, constant rooster, hoge elektronenmobiliteit en lage defectdichtheid.Een cilindrisch InAs-kristal gegroeid door VGF of LEC kan worden gesneden en gefabriceerd tot wafer as-cut, geëtst, gepolijst of epi-ready voor MBE of MOCVD epitaxiale groei.

Toepassingen

Indiumarsenide-kristalwafel is een geweldig substraat voor het maken van Hall-apparaten en magnetische veldsensoren vanwege de ultieme mobiliteit in de hal, maar met een smalle energiebandafstand, een ideaal materiaal voor de constructie van infrarooddetectoren met een golflengtebereik van 1-3,8 m die worden gebruikt in toepassingen met een hoger vermogen bij kamertemperatuur, evenals mid-golflengte infrarood super roosterlasers, mid-infrarood LED-apparaten fabricage voor zijn 2-14 m golflengtebereik.Bovendien is InAs een ideaal substraat om de heterogene InGaAs-, InAsSb-, InAsPSb & InNAsSb- of AlGaSb-superroosterstructuur enz. verder te ondersteunen.

Onderzoek nu

Details

Tags

Technische specificatie:

Indiumarsenide

InAs

Indiumarsenide kristalwafeltjeis een geweldig substraat voor het maken van Hall-apparaten en magnetische veldsensoren vanwege de ultieme mobiliteit in de hal, maar met een smalle energiebandgap, een ideaal materiaal voor de constructie van infrarooddetectoren met een golflengtebereik van 1-3,8 µm, gebruikt in toepassingen met een hoger vermogen bij kamertemperatuur, evenals mid-golflengte infrarood super roosterlasers, mid-infrarood LED's fabricage voor zijn 2-14 m golflengtebereik.Bovendien is InAs een ideaal substraat om de heterogene InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb of AlGaSb superroosterstructuur enz. verder te ondersteunen.

Nee.	Artikelen	Standaard specificatie
1	Maat	2"	3"	4"
2	Diameter mm	50.5±0.5	76,2 ± 0,5	100 ± 0,5
3	Groeimethode:	LEC	LEC	LEC
4	geleidbaarheid	P-type/Zn-gedoteerd, N-type/S-gedoteerd, niet-gedoteerd
5	Oriëntatie	(100) ±0,5°, (111)±0,5°
6	Dikte m	500±25	600±25	800±25
7	Oriëntatie Vlak mm	16±2	22±2	32±2
8	Identificatie Vlak mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobiliteit cm2/Vs	60-300, (2000 of zoals vereist)
10	Dragerconcentratie cm-3	(3-80)E17 of ≤5E16
11	TTV m max	10	10	10
12	Boog m max	10	10	10
13	Verdraaien μm max	15	15	15
14	Dislocatie Dichtheid cm-2 max	1000	2000	5000
15	Oppervlakteafwerking	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Inpakken	Enkele wafelcontainer verzegeld in aluminium zak.

Lineaire formule	InAs
Molecuulgewicht	189,74
Kristal structuur	Zink blende
Uiterlijk	Grijze kristallijne vaste stof
Smeltpunt	(936-942)°C
Kookpunt	Nvt
Dichtheid bij 300K	5,67 g/cm³
Energiekloof	0,354 eV
Intrinsieke weerstand	0,16 Ω-cm
CAS-nummer	1303-11-3
EG-nummer	215-115-3

Indiumarsenide InAsbij Western Minmetals (SC) Corporation kan worden geleverd als polykristallijne klomp of enkelkristal zoals gesneden, geëtste, gepolijste of epi-ready wafels met een diameter van 2” 3” en 4” (50 mm, 75 mm, 100 mm), en p-type, n-type of ongedoteerde geleidbaarheid en <111> of <100> oriëntatie.De aangepaste specificatie is voor de perfecte oplossing voor onze klanten wereldwijd.